三星电子日前宣布他们已经成功试产行业首款16GB DDR4内存模块,新产品组要面向企业级服务器市场。三星计划明年开始16GB DDR4模块正式进入量产期。
三星目前试产的8GB和16GB DDR4内存模块均基于30nm制作工艺,工作电压为1.2V。三星指出,到明年DDR4的时钟速度将会是目前DDR3内存模块时钟速度(1600Mb/s)的两倍,即3200Mbit/s。三星的8GB和16GB DDR4模块能够给企业服务器系统提供最高级别的存储密度和性能,此前在2010年,三星也成功推出行业首款30nm 2GB DDR4内存模块。
三星方面表示他们将会加强与服务器OEM以及CPU和控制器制造商的合作,扩大高存储密度DDR4模块的市场基础,零售产品将明年开始量产上市。另外三星还计划将DDR4内存模块制作工艺进化到20nm级别,这样DDR4内存的单条容量可提升至32GB,也有利于他们在市场上进一步扩张。
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